Die Infineon Technologies AG plant den Kauf der Cree-Geschäftseinheit "Wolfspeed Power and RF" für 850 Mio. Dollar in bar. [...]
Der Kaufvertrag mit Cree umfasst auch das Geschäft mit den dazugehörigen SiC-Rohscheiben für Leistungshalbleiter und HF-Leistungsbauelemente. Das haben Infineon und Cree heute bekanntgegeben. Mit der Übernahme will Infineon zum Anbieter von Verbindungshalbleitern mit dem industrieweit umfassendsten Angebot werden und seine Position bei Leistungselektronik und HF-Leistungsbauelementen für Wachstumsmärkte wie Elektromobilität, erneuerbare Energien und die Mobilfunkinfrastruktur der nächsten Generation für das Internet der Dinge stärken.
Wolfspeed hat seinen Hauptsitz in Research Triangle Park im US-Bundesstaat North Carolina und gehört seit fast 30 Jahren zu Cree. Das Unternehmen ist einer der führenden Anbieter von Leistungshalbleitern auf der Basis von SiC und HF-Leistungsbauelementen auf der Basis von GaN-auf-SiC. Dazu gehört auch die Fertigung von Rohscheiben aus Siliziumkarbid und – für HF-Anwendungen – aus Siliziumkarbid mit einer einkristallinen GaN-Schicht. Mit diesen Kompetenzen, mehr als 550 hochqualifizierten Mitarbeitern sowie einem starken IP-Portfolio von circa 2.000 Patenten und Patentanmeldungen ist Wolfspeed laut Infineon „eine ideale Ergänzung zur Akquisition von International Rectifier“, die Anfang 2015 erfolgte.
Anwendungen bei erneuerbaren Energien und insbesondere in der Automobilindustrie sollen von SiC profitieren. Die Vorteile für diese Branchen ergeben sich durch eine verbesserte Leistungsdichte und höhere Effizienz. Infineon adressiert damit den Trend zu Plug-In-Hybrid- und vollelektrischen Fahrzeugen in der Automobilbranche. Durch die Zusammenlegung der Portfolien und Kompetenzen soll die Markteinführung neuer Produkte auf Basis von Verbindungshalbleitern deutlich beschleunigt werden.
Die Infrastruktur für die kommenden Mobilfunkstandards wie 5G und darüber hinaus wird Frequenzen von bis zu 80 Gigahertz nutzen. Bei diesen hohen Frequenzen können nur modernste Verbindungshalbleiter die benötigte Ausgangsleistung bereitstellen. Verbindungshalbleiter auf der Basis von GaN-auf-Si bieten ein hohes Maß an Integration und ermöglichen Frequenzen von bis zu 10 Gigahertz. Halbleiter auf der Basis von GaN-auf-SiC ermöglichen Frequenzen von bis zu 80 Gigahertz. Beide Technologien sind laut Infineon entscheidend für die Weiterentwicklung der Infrastruktur für die kommenden Mobilfunkstandards. Zusammen mit den eigenen Silizium-basierten Halbleitern (LDMOS) will Infineon zum Anbieter mit dem umfangreichsten Angebot an HF-Leistungsbauelementen werden.
Das gemeinsame Portfolio fördert Infineons strategischen Ansatz „Vom Produkt zum System“. Infineon will außerdem die Einführung von SiC- und GaN-basierten Produkten in wichtigen Wachstumsmärkten beschleunigen, etwa Elektromobilität und Ladesysteme, leistungsstarke Fotovoltaik-Umrichter sowie HF-Leistungsbauelemente für Mobilfunk-Infrastruktur.
Die Geschäftsbereiche, die Infineon erwerben will, haben in den zwölf Monaten bis zum 27. März 2016 einen Pro-Forma-Umsatz von 173 Mio. Dollar erwirtschaftet. Die Übernahme soll sich vom ersten Tag an positiv auf die Marge und das bereinigte Ergebnis je Aktie von Infineon auswirken. Finanziert wird der Kauf über Bankkredite in Höhe von 720 Mio. Dollar sowie eigene Barmittel in Höhe von 130 Mio. Dollar. Auch nach dieser Transaktion werde Infineon über eine solide Bilanz verfügen, so das Unternehmen in einer Aussendung. Die Kapitalstruktur seoll ebenfalls weiterhin innerhalb des bereits bekannten Rahmens bleiben: eine Liquidität von mindestens einer Mrd. Euro sowie zusätzlich 10 bis 20 Prozent des Umsatzes, Bruttofinanzschulden von nicht mehr als dem Zweifachen des EBITDA.
Das Management von Cree und der Aufsichtsrat von Infineon haben der Akquisition bereits zugestimmt. Der Abschluss der Transaktion unterliegt aber natürlich noch der Genehmigung verschiedener Behörden und wird für Ende 2016 erwartet. (pi/rnf)
Be the first to comment