Der Leiterplattenhersteller AT&S mit Sitz in Leoben hat am 19. April einen neuen Produktionsstandort in Chongqing, Zentralchina, eröffnet. [...]
Der Standort besteht aus zwei Werken: Das Werk 1 produziert seit Ende Februar mit einer Linie in Serienproduktion, das Werk 2 befindet sich noch im Aufbau. Mit einem Gesamtinvestitionsvolumen von rund 480 Mio. Euro bis 2017 wird es das bisher größte Einzelinvestment von AT&S.
Die Eröffnungsfeier fand unter Anwesenheit von Vertretern des offiziellen China und Österreichs, der Wirtschaft und Medien, Kunden, dem Aufsichtsrat und Management von AT&S statt. Grußadressen richteten die österreichische Botschafterin in Peking, Irene Giner-Reichl, Chongqings Bürgermeister Huang Qifan, sowie AT&S-Aufsichtsratsvorsitzender Hannes Androsch und Vorstandsvorsitzender Andreas Gerstenmayer. Im Anschluss an die Zeremonie hatten ausgewählte Gäste die Möglichkeit, Teile der Reinraum-Produktion zu besichtigen.
„Chongqing ist ein wesentlicher Baustein für die Zukunft von AT&S – sowohl in Hinblick auf Technologie und Positionierung als auch für das weitere profitable Wachstum. Wir sind mit diesem Werk der erste High-End IC-Substrate-Hersteller in China und setzen damit frühzeitig auf den Mikroelektronik-Schwerpunkt, den die chinesische Regierung verfolgt. Auf Basis der neuen Technologien, in Kombination mit den bestehenden High-End Technologien wird daraus ‚More than AT&S‘: Wir können dem Markt neue High-End Verbindungs- und Advanced Packaging Lösungen anbieten und uns im sich rapide verändernden Umfeld der Elektronikindustrie mit innovativen Technologien wie zum Beispiel IC Substrates und Wafer Level Packages für funktionale Module und Internet der Dinge völlig neu und umfassend positionieren. Von der Leiterplatten-Top-Liga in die Verbindungslösungs-und Packaging Champions-League sozusagen“, so AT&S-Vorstandsvorsitzender Gerstenmayer.
Gerstenmayer ergänzt: „Damit verbunden ist mittelfristig auch eine neue Unternehmensdimension von rund einer Milliarde Umsatz, die uns helfen wird, künftige Investitionen stärker aus dem eigenen Cash-Flow zu finanzieren. In der Hochlaufphase rechnen wir jedoch mit entsprechenden Belastungen.“
ZWEITES WERK
AT&S produziert im Werk 1 IC-Substrate, die Verbindungsplattform zwischen Mikrochips und Leiterplatten, die für Mikroprozessoren im Computing-Bereich eingesetzt werden. Seit dem Start der Serienproduktion Ende Februar verlaufen der sukzessive Aufbau der Kapazitäten und die Steigerung des Produktionsvolumens der komplexen Technologie den Angaben des Unternehmens zufolge gut. Ab Ende des Kalenderjahres 2016 will AT&S die zweite Produktionslinie für IC-Substrate Schritt für Schritt hochfahren. Insgesamt hat AT&S vor, bis Mitte 2017 in diese Technologie rund 280 Mio. Euro in Sachanlagen zu investieren.
Darüber hinaus wird der Standort Chongqing um ein zweites Werk für die neueste Generation der High-End Leiterplatten erweitert – den substrat-ähnlichen Leiterplatten, um Advanced-Packaging-Lösungen auf Wafer-Level-Basis anbieten zu können. Dieses Werk soll im zweiten Halbjahr des Kalenderjahres 2016 mit der ersten Produktionslinie und mit einer zweiten Produktionslinie im nächsten Jahr starten. In dieses Werk sollen rund 200 Mio. Euro an Investitionen in Sachanlagen fließen.
Die Komplexität der Technologie und der Rahmenbedingungen skizziert Chen Jian Phua, CEO der Business Unit Mobile Devices & Substrates und seit mehr als zwölf Jahren für AT&S an führender Managementstelle für den Aufbau der Standorte Shanghai und nun auch Chongqing verantwortlich, so: „Die neue IC-Substrate Technologie ist mit keiner bisher bei AT&S eingesetzten Technologie vergleichbar: neue, extrem komplexe Produktionsverfahren in 100 Prozent Reinraumumgebung, neue Materialien und auch ein neues Team, das in kürzester Zeit Know-how aufbauen musste. Wir sind sehr stolz, dass uns das in einem extrem straffen Zeitplan gelungen ist. Dazu haben wir auch mehr als 670.000 Trainingsstunden für die derzeit rund 1.700 Mitarbeiter investiert. Wichtig war und ist für uns an jedem Standort ebenso nachhaltige und umfassende Investitionen in Umweltschutz, in Chongqing sind rund 24 Mio. Euro dazu geflossen.“
IC-SUBSTRATE UND SUBSTRAT-ÄHNLICHE LEITERPLATTEN
IC-Substrate stellen die Verbindungsplattform zwischen Halbleiter (Chips) und Leiterplatten dar, sie „übersetzen“ die Nano-Strukturen des Chips auf die Leiterplatte (Mikrometer-Strukturen) und kommen bei Mikroprozessoren für Computer, Kommunikation, Automotive und Industrie-Anwendungen zum Einsatz. Im Gegensatz zu Leiterplatten haben IC-Substrate wesentlich feinere Strukturen (circa 40 Mikrometer vs. circa 12 Mikrometer) und es werden andere Basismaterialien und Herstellungsprozesse eingesetzt. Je nach Anwendungsgebiet gibt es verschiedenste Substrat-Technologien mit unterschiedlichen Aufbauten und Leistungsanforderungen.
Substrat-ähnliche Leiterplatten sind die Evolution von High-End Leiterplatten und verfügen über noch feinere Strukturen mit rund 20-30 Mikrometer und deutlich mehr Anschlüssen. Sie sind die Voraussetzung für neue Packaging-Lösungen (zum Beispiel mehrere Chips und elektronische Bauteile werden nicht separat auf die Leiterplatte bestückt, sondern die Bauteile auf die Chips montiert und in ein Gehäuse zusammengefasst), die wiederum für Wearables und andere potenzielle Internet-der-Dinge-Lösungen verwendet werden.
Mit Advanced Packages wiederum bezeichnet man Lösungen, bei der elektronische Komponenten wie Chips und andere Bauteile gemeinsam „verpackt“ und dann auf die Leiterplatte bestückt werden. Beim Waferlevel Packaging wird der integrierte Schaltkreis in das Gehäuse „verpackt“, während er sich noch im Wafer Format (Siliziumscheibe) befindet und dann vereinzelt. Diese Packages dienen der weiteren Miniaturisierung für alle elektronischen Geräte. (pi/rnf)
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